Darmowa wysyłka od 80zł

Czarne logo GIGARAM

Pamięć RAM DDR3 Samsung 1 GB 1333 MHz

15,69 

1 w magazynie

Szybka wysyłka

Wszystkie zamówienia złożone do godziny 14:00 z wysyłką inpost kurier lub inpost paczkomat, będą u Ciebie jutro.

14 dni na zwrot

Masz prawo do zwrotu zakupionego produktu w ciągu 14 dni

60 dni gwarancji

Na cały asortyment udzielamy 60 dni gwarancji.

Bezpieczne płatności

Nie musisz się martwić, nasze płatności przez system Paynow (mBank) są bezpieczne

Pamięć RAM DDR3 Samsung 1 GB 1333 MHz

Opis

Pamięć RAM DDR3 Samsung 1 GB 1333 MHz

  • Stan: Używany
  • Stan opakowania: zastępcze
  • EAN (GTIN): 4060787059314
  • Kod producenta: M471B2873GB0-CH9
  • Producent: Samsung
  • Typ pamięci: DDR3
  • Pojemność całkowita: 1 GB
  • Liczba modułów: 1
  • Waga produktu z opakowaniem jednostkowym: 0.2
  • Kolor: zielony
  • Typ złącza: DIMM
  • Pojemność pojedynczego modułu: 1
  • Taktowanie szyny pamięci (MHz): 1333
  • Opóźnienia (Cycle Latency): 9

Przedstawiamy Państwu oryginalną pamięć RAM DDR3 Samsung o pojemności 1 GB i taktowaniu 1333 MHz. Jest to doskonały komponent do poprawy wydajności i przyspieszenia pracy komputera.

Produkt jest w pełni sprawny i pochodzi z rozbiórki jednostki Samsung RV511, co gwarantuje jego wysoką jakość. Pamięć jest używana, ale w bardzo dobrym stanie.

W naszym sklepie stawiamy na zrównoważone podejście do zakupów. Dlatego oferujemy oryginalne części, które mają minimalny wpływ na środowisko naturalne. Wybierając naszą aukcję, dokładasz swoją cegiełkę w walce ze zmianami klimatu.

Serdecznie zapraszamy do zapoznania się z naszymi innymi aukcjami, gdzie znajdziesz więcej części do laptopa Samsung RV511 oraz inne urządzenia elektroniczne.

Informacje dodatkowe

Waga 0,2 kg
Stan

Używany

Stan opakowania

zastępcze

EAN (GTIN)

4060787059314

Kod producenta

M471B2873GB0-CH9

Producent

Samsung

Typ pamięci

DDR3

Pojemność całkowita

1 GB

Liczba modułów

1

Waga produktu z opakowaniem jednostkowym

0.2

Kolor

zielony

Typ złącza

DIMM

Pojemność pojedynczego modułu

1

Taktowanie szyny pamięci (MHz)

1333

Opóźnienia (Cycle Latency)

9